{"id":29631,"date":"2026-08-07T23:05:48","date_gmt":"2026-08-08T03:05:48","guid":{"rendered":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/?p=29631"},"modified":"2026-08-10T23:09:37","modified_gmt":"2026-08-11T03:09:37","slug":"samsung-presenta-su-hoja-de-ruta-de-memoria-3d-y-soluciones-de-almacenamiento-para-ia-en-fms-2026","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/2026\/08\/07\/samsung-presenta-su-hoja-de-ruta-de-memoria-3d-y-soluciones-de-almacenamiento-para-ia-en-fms-2026\/","title":{"rendered":"Samsung presenta su hoja de ruta de memoria 3D y soluciones de almacenamiento para IA en FMS 2026"},"content":{"rendered":"

Samsung Electronics Co., Ltd. present\u00f3 en la conferencia Future of Memory and Storage<\/i> (FMS) 2026 en Santa Clara, California, sus avances en arquitecturas de memoria tridimensional. La tecnol\u00f3gica mostr\u00f3 los conceptos zHBM<\/b> y zNAND-O<\/b>, revel\u00f3 la memoria V10 BV-NAND<\/b> con m\u00e1s de 400 capas y detall\u00f3 su cartera de productos para computaci\u00f3n de alto rendimiento (HPC) e infraestructura de inteligencia artificial.<\/p>\n

Innovaciones en arquitecturas 3D: zHBM y zNAND-O<\/h3>\n

Jin-Yub Lee (VP ejecutivo de Flash Product & Technology) y Kyungryun Kim (VP y l\u00edder de dise\u00f1o DRAM) expusieron la estrategia de empaquetado para reducir la latencia y acelerar el procesamiento de datos masivos:<\/p>\n

    \n
  • Arquitectura zHBM:<\/b> Apila la memoria HBM verticalmente sobre los aceleradores de IA en lugar del dise\u00f1o adyacente tradicional. Utiliza tecnolog\u00eda de uni\u00f3n de obleas (wafer bonding<\/i>) e integra propiedad intelectual (IP) personalizada en la capa intermedia.<\/li>\n
  • Rendimiento:<\/b> Hasta 8 veces superior a HBM5.<\/li>\n
  • Densidad y Eficiencia:<\/b> M\u00e1s de 10 veces la densidad de HBM5, el triple de eficiencia energ\u00e9tica y una reducci\u00f3n superior al 50 % en la resistencia t\u00e9rmica.<\/li>\n
  • Arquitectura zNAND-O:<\/b> Soluci\u00f3n NAND en desarrollo de 4 y 8 capas orientada a Edge AI<\/i>, dise\u00f1ada para ofrecer baja latencia y alta tasa de entrada\/salida (I\/O).<\/li>\n<\/ul>\n

    Especificaciones de la memoria V10 BV-NAND<\/h3>\n

    Samsung present\u00f3 la d\u00e9cima generaci\u00f3n de su arquitectura Bonding V-NAND<\/i>, estableciendo un nuevo hito de densidad de almacenamiento desde el lanzamiento de la primera V-NAND en 2013:<\/p>\n\n\n\n\n\n\n\n
    Par\u00e1metro T\u00e9cnico<\/strong><\/td>\nEspecificaci\u00f3n V10 BV-NAND<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
    Estructura Vertical<\/b><\/span><\/td>\nM\u00e1s de 400 capas apiladas mediante wafer bonding<\/i>.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
    Densidad de Memoria<\/b><\/span><\/td>\nIncremento aproximado del 58 % respecto a la generaci\u00f3n V9.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n
    Aplicaci\u00f3n Operativa<\/b><\/span><\/td>\nServidores de IA empresariales con mejoras en velocidad de lectura, escritura e I\/O.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

    Hoja de ruta de productos e integraci\u00f3n IDM<\/h3>\n

    La compa\u00f1\u00eda expuso su cat\u00e1logo de semiconductores orientados a centros de datos y computaci\u00f3n distribuida:<\/p>\n

      \n
    • HBM4 \/ HBM4E \/ HBM5:<\/b> Muestras de HBM4E (tras la producci\u00f3n en masa de HBM4 iniciada en febrero con proceso DRAM 1c y base die<\/i> de 4 nm) y modelos de HBM5.<\/li>\n
    • LPDDR5X-PIM:<\/b> Memoria LPDDR con tecnolog\u00eda Processing-in-Memory<\/i> para ejecutar procesamiento de datos dentro del propio chip.<\/li>\n
    • Almacenamiento Empresarial:<\/b> Unidades de estado s\u00f3lido PM1763 y BM1773 para centros de datos de IA.<\/li>\n
    • Estrategia Turnkey (IDM):<\/b> Samsung resalt\u00f3 su posici\u00f3n como fabricante integrado que combina divisiones de memoria, fundici\u00f3n (foundry<\/i>) y empaquetado avanzado (advanced packaging<\/i>) para acortar tiempos de desarrollo de semiconductores personalizados.<\/li>\n<\/ul>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

      Samsung Electronics Co., Ltd. present\u00f3 en la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) 2026 en Santa Clara, California, sus avances en arquitecturas de memoria tridimensional. La tecnol\u00f3gica mostr\u00f3 los conceptos zHBM y zNAND-O, revel\u00f3 la memoria V10 BV-NAND con m\u00e1s de 400 capas y detall\u00f3 su cartera de productos para computaci\u00f3n de alto rendimiento […]<\/p>\n","protected":false},"author":2,"featured_media":29635,"comment_status":"closed","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[93,146,2],"tags":[9782,10632,10529,9707,15],"wppr_data":{"cwp_meta_box_check":"No"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/29631"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/users\/2"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=29631"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/29631\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":29636,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/29631\/revisions\/29636"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/media\/29635"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=29631"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=29631"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=29631"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}