{"id":29659,"date":"2026-08-10T08:58:34","date_gmt":"2026-08-10T12:58:34","guid":{"rendered":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/?p=29659"},"modified":"2026-08-15T09:01:40","modified_gmt":"2026-08-15T13:01:40","slug":"samsung-electronics-y-broadcom-firman-un-memorando-de-entendimiento-para-ampliar-su-alianza-en-memorias-y-servicios-de-foundry-para-ia","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/2026\/08\/10\/samsung-electronics-y-broadcom-firman-un-memorando-de-entendimiento-para-ampliar-su-alianza-en-memorias-y-servicios-de-foundry-para-ia\/","title":{"rendered":"Samsung Electronics y Broadcom firman un memorando de entendimiento para ampliar su alianza en memorias y servicios de foundry para IA"},"content":{"rendered":"

Samsung Electronics y Broadcom anunciaron un memorando de entendimiento (MOU) durante el AI Summit<\/i> en San Francisco para expandir su colaboraci\u00f3n en infraestructura de inteligencia artificial. El acuerdo contempla proyectos conjuntos en tecnolog\u00edas de memoria, fabricaci\u00f3n de semiconductores (foundry<\/i>) y empaquetado avanzado, con una proyecci\u00f3n comercial estimada en m\u00e1s de 200.000 millones de d\u00f3lares<\/b> durante los pr\u00f3ximos cinco a\u00f1os.<\/p>\n

El anuncio cont\u00f3 con la presencia de Jinman Han, presidente de la divisi\u00f3n de Foundry de Samsung, y Hock Tan, presidente y CEO de Broadcom, junto a ejecutivos del sector y representantes del gobierno surcoreano.<\/p>\n

Ejes principales del acuerdo estrat\u00e9gico<\/h3>\n
    \n
  • La colaboraci\u00f3n se estructura en tres pilares tecnol\u00f3gicos para acelerar el desarrollo de chips de alto rendimiento:<\/li>\n
  • Soluciones de Memoria (HBM):<\/b> Suministro de memorias de alto ancho de banda (High Bandwidth Memory<\/i>) de \u00faltima generaci\u00f3n de Samsung para integrarlas en los aceleradores de IA de Broadcom.<\/li>\n
  • Proceso de Foundry a 2 nm:<\/b> Utilizaci\u00f3n de las tecnolog\u00edas de fabricaci\u00f3n de Samsung en nodos de 2 nan\u00f3metros (nm)<\/b> e inferiores para productos de Broadcom, incluyendo soluciones de comunicaciones inal\u00e1mbricas de banda ancha (Wireless Broadband Communications<\/i> – WBC).<\/li>\n
  • Empaquetado Avanzado:<\/b> Implementaci\u00f3n de arquitecturas de integraci\u00f3n 2.3D y 2.5D<\/b> basadas en el proceso de 2 nm para optimizar el rendimiento y la eficiencia energ\u00e9tica en chips de red y computaci\u00f3n avanzada.<\/li>\n<\/ul>\n

    Valoraciones ejecutivas<\/h3>\n

    Young Hyun Jun (Samsung Electronics):<\/b> El vicepresidente y CEO de la divisi\u00f3n Device Solutions<\/i> destac\u00f3 que la integraci\u00f3n vertical de Samsung \u2014que abarca l\u00f3gica, memoria y empaquetado\u2014 permite responder a la demanda de infraestructura clave para la IA del futuro.<\/p>\n

    Charlie Kawwas (Broadcom):<\/b> El presidente del Grupo de Soluciones de Semiconductores de Broadcom enfatiz\u00f3 que la uni\u00f3n entre la capacidad de fabricaci\u00f3n de Samsung y la experiencia en conectividad de Broadcom fortalecer\u00e1 el ecosistema global de semiconductores.<\/p>\n

    Con este acuerdo quinquenal, Samsung afianza su estrategia de fabricante integrado (IDM) en el mercado de la inteligencia artificial, acelerando la competencia frente a rivales de fundici\u00f3n en la carrera por los nodos sub-2 nan\u00f3metros. Por su parte, Broadcom asegura la capacidad de suministro de componentes cr\u00edticos de memoria y procesamiento, consolidando la infraestructura necesaria para sostener la creciente demanda global de redes y centros de datos de alta velocidad.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    Samsung Electronics y Broadcom anunciaron un memorando de entendimiento (MOU) durante el AI Summit en San Francisco para expandir su colaboraci\u00f3n en infraestructura de inteligencia artificial. El acuerdo contempla proyectos conjuntos en tecnolog\u00edas de memoria, fabricaci\u00f3n de semiconductores (foundry) y empaquetado avanzado, con una proyecci\u00f3n comercial estimada en m\u00e1s de 200.000 millones de d\u00f3lares durante […]<\/p>\n","protected":false},"author":2,"featured_media":29660,"comment_status":"closed","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[93,146,2],"tags":[9782,10632,10529,9707,15],"wppr_data":{"cwp_meta_box_check":"No"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/29659"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/users\/2"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=29659"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/29659\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":29661,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/29659\/revisions\/29661"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/media\/29660"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=29659"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=29659"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=29659"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}