{"id":29739,"date":"2026-08-19T10:37:37","date_gmt":"2026-08-19T14:37:37","guid":{"rendered":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/?p=29739"},"modified":"2026-08-22T10:43:44","modified_gmt":"2026-08-22T14:43:44","slug":"samsung-presenta-su-hoja-de-ruta-de-memorias-3d-de-ultima-generacion-para-infraestructura-de-ia-en-fms-2026","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/2026\/08\/19\/samsung-presenta-su-hoja-de-ruta-de-memorias-3d-de-ultima-generacion-para-infraestructura-de-ia-en-fms-2026\/","title":{"rendered":"Samsung presenta su hoja de ruta de memorias 3D de \u00faltima generaci\u00f3n para infraestructura de IA en FMS 2026"},"content":{"rendered":"<p data-path-to-node=\"1\">Durante la conferencia <i data-path-to-node=\"1\" data-index-in-node=\"71\">Future of Memory and Storage<\/i> (FMS) 2026, Samsung Electronics present\u00f3 sus avances en memorias avanzadas y arquitecturas 3D dise\u00f1adas para optimizar la eficiencia energ\u00e9tica y la capacidad de procesamiento de la infraestructura de inteligencia artificial y la computaci\u00f3n de alto rendimiento (HPC).<\/p>\n<h3 data-path-to-node=\"3\">Innovaciones en arquitectura 3D y nuevas nomenclaturas<\/h3>\n<p data-path-to-node=\"4\">Los ejecutivos del Memory Business de la compa\u00f1\u00eda introdujeron dos modelos conceptuales de memoria tridimensional:<\/p>\n<table data-path-to-node=\"5\">\n<thead>\n<tr>\n<td><strong>Concepto \/ Tecnolog\u00eda<\/strong><\/td>\n<td><strong>Arquitectura T\u00e9cnica<\/strong><\/td>\n<td><strong>Beneficio Operativo Estimado<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody>\n<tr>\n<td><span data-path-to-node=\"5,1,0,0\"><b data-path-to-node=\"5,1,0,0\" data-index-in-node=\"0\">zHBM<\/b><\/span><\/td>\n<td><span data-path-to-node=\"5,1,1,0\">Apilamiento vertical directo sobre el acelerador de IA (eliminando la colocaci\u00f3n lateral tradicional).<\/span><\/td>\n<td><span data-path-to-node=\"5,1,2,0\">Rendimiento <b data-path-to-node=\"5,1,2,0\" data-index-in-node=\"12\">8 veces superior a HBM5<\/b>, densidad de memoria <b data-path-to-node=\"5,1,2,0\" data-index-in-node=\"57\">&gt;10x<\/b>, triple de eficiencia energ\u00e9tica y reducci\u00f3n t\u00e9rmica a la mitad. Permite la integraci\u00f3n de IP personalizada en la capa intermedia.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><span data-path-to-node=\"5,2,0,0\"><b data-path-to-node=\"5,2,0,0\" data-index-in-node=\"0\">zNAND-O<\/b><\/span><\/td>\n<td><span data-path-to-node=\"5,2,1,0\">Soluci\u00f3n NAND de 4 y 8 capas dise\u00f1ada para entonos de <i data-path-to-node=\"5,2,1,0\" data-index-in-node=\"54\">Edge AI<\/i>.<\/span><\/td>\n<td><span data-path-to-node=\"5,2,2,0\">Alta eficiencia de espacio y baja latencia para procesamiento intensivo en tiempo real.<\/span><\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h3 data-path-to-node=\"7\">Revelaci\u00f3n de la tecnolog\u00eda V10 BV-NAND<\/h3>\n<p data-path-to-node=\"8\">Samsung present\u00f3 la <b data-path-to-node=\"8\" data-index-in-node=\"20\">V10 BV-NAND<\/b> (<i data-path-to-node=\"8\" data-index-in-node=\"33\">Bonding V-NAND<\/i>), una arquitectura que implementa la uni\u00f3n directa de obleas (<i data-path-to-node=\"8\" data-index-in-node=\"110\">wafer bonding<\/i>) para estructurar celdas de memoria:<\/p>\n<ul>\n<li data-path-to-node=\"9,0,0\"><b data-path-to-node=\"9,0,0\" data-index-in-node=\"0\">Densidad y Capas:<\/b> Supera las <b data-path-to-node=\"9,0,0\" data-index-in-node=\"29\">400 capas<\/b>, incrementando la densidad de almacenamiento en aproximadamente un <b data-path-to-node=\"9,0,0\" data-index-in-node=\"106\">58%<\/b> frente a la generaci\u00f3n previa (V9).<\/li>\n<li data-path-to-node=\"9,1,0\"><b data-path-to-node=\"9,1,0\" data-index-in-node=\"0\">Rendimiento:<\/b> Optimiza las velocidades de lectura, escritura y las tasas de entrada\/salida (E\/S) para servidores de centros de datos.<\/li>\n<\/ul>\n<h3 data-path-to-node=\"11\">Portafolio de productos y estrategia de fabricaci\u00f3n IDM<\/h3>\n<p data-path-to-node=\"12\">La empresa exhibi\u00f3 su hoja de ruta de productos, entre los que figuran:<\/p>\n<ul>\n<li data-path-to-node=\"13,0,0\"><b data-path-to-node=\"13,0,0\" data-index-in-node=\"0\">L\u00ednea HBM:<\/b> Distribuci\u00f3n de muestras de <b data-path-to-node=\"13,0,0\" data-index-in-node=\"39\">HBM4E<\/b> a clientes globales (tras la producci\u00f3n en masa de HBM4 con proceso DRAM 1c nm y base die de 4 nm en febrero de 2026) y el dise\u00f1o conceptual de <b data-path-to-node=\"13,0,0\" data-index-in-node=\"189\">HBM5<\/b>.<\/li>\n<li data-path-to-node=\"13,1,0\"><b data-path-to-node=\"13,1,0\" data-index-in-node=\"0\">LPDDR5X-PIM:<\/b> Primera memoria LPDDR de la industria con tecnolog\u00eda de procesamiento en memoria (<i data-path-to-node=\"13,1,0\" data-index-in-node=\"95\">Processing-In-Memory<\/i>) para reducir el tr\u00e1fico de datos hacia el procesador central.<\/li>\n<li data-path-to-node=\"13,2,0\"><b data-path-to-node=\"13,2,0\" data-index-in-node=\"0\">Almacenamiento Empresarial:<\/b> Unidades SSD <b data-path-to-node=\"13,2,0\" data-index-in-node=\"41\">PM1763<\/b> y <b data-path-to-node=\"13,2,0\" data-index-in-node=\"50\">BM1773<\/b> orientadas a centros de datos.<\/li>\n<li data-path-to-node=\"13,3,0\"><b data-path-to-node=\"13,3,0\" data-index-in-node=\"0\">Modelo Llave en Mano (<i data-path-to-node=\"13,3,0\" data-index-in-node=\"22\">Turnkey<\/i>):<\/b> Integraci\u00f3n de sus divisiones de memoria, fundici\u00f3n (<i data-path-to-node=\"13,3,0\" data-index-in-node=\"85\">foundry<\/i>) y empaquetado avanzado para reducir los ciclos de desarrollo de semiconductores dedicados a la IA.<\/li>\n<\/ul>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Durante la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) 2026, Samsung Electronics present\u00f3 sus avances en memorias avanzadas y arquitecturas 3D dise\u00f1adas para optimizar la eficiencia energ\u00e9tica y la capacidad de procesamiento de la infraestructura de inteligencia artificial y la computaci\u00f3n de alto rendimiento (HPC). Innovaciones en arquitectura 3D y nuevas nomenclaturas Los ejecutivos del [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":2,"featured_media":29743,"comment_status":"closed","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[93,146,2],"tags":[9782,10632,10529,9707,15],"wppr_data":{"cwp_meta_box_check":"No"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/29739"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/users\/2"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=29739"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/29739\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":29744,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/29739\/revisions\/29744"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/media\/29743"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=29739"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=29739"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.notaoficial.com\/s\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=29739"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}