Samsung presenta su hoja de ruta de memorias 3D de última generación para infraestructura de IA en FMS 2026

Durante la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) 2026, Samsung Electronics presentó sus avances en memorias avanzadas y arquitecturas 3D diseñadas para optimizar la eficiencia energética y la capacidad de procesamiento de la infraestructura de inteligencia artificial y la computación de alto rendimiento (HPC).

Innovaciones en arquitectura 3D y nuevas nomenclaturas

Los ejecutivos del Memory Business de la compañía introdujeron dos modelos conceptuales de memoria tridimensional:

Revelación de la tecnología V10 BV-NAND

Samsung presentó la V10 BV-NAND (Bonding V-NAND), una arquitectura que implementa la unión directa de obleas (wafer bonding) para estructurar celdas de memoria:

• Densidad y Capas: Supera las 400 capas, incrementando la densidad de almacenamiento en aproximadamente un 58% frente a la generación previa (V9).
• Rendimiento: Optimiza las velocidades de lectura, escritura y las tasas de entrada/salida (E/S) para servidores de centros de datos.

Portafolio de productos y estrategia de fabricación IDM

La empresa exhibió su hoja de ruta de productos, entre los que figuran:

• Línea HBM: Distribución de muestras de HBM4E a clientes globales (tras la producción en masa de HBM4 con proceso DRAM 1c nm y base die de 4 nm en febrero de 2026) y el diseño conceptual de HBM5.
• LPDDR5X-PIM: Primera memoria LPDDR de la industria con tecnología de procesamiento en memoria (Processing-In-Memory) para reducir el tráfico de datos hacia el procesador central.
• Almacenamiento Empresarial: Unidades SSD PM1763 y BM1773 orientadas a centros de datos.
• Modelo Llave en Mano (Turnkey): Integración de sus divisiones de memoria, fundición (foundry) y empaquetado avanzado para reducir los ciclos de desarrollo de semiconductores dedicados a la IA.