Samsung Electronics Co., Ltd. presentó en la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) 2026 en Santa Clara, California, sus avances en arquitecturas de memoria tridimensional. La tecnológica mostró los conceptos zHBM y zNAND-O, reveló la memoria V10 BV-NAND con más de 400 capas y detalló su cartera de productos para computación de alto rendimiento (HPC) e infraestructura de inteligencia artificial.
Innovaciones en arquitecturas 3D: zHBM y zNAND-O
Jin-Yub Lee (VP ejecutivo de Flash Product & Technology) y Kyungryun Kim (VP y líder de diseño DRAM) expusieron la estrategia de empaquetado para reducir la latencia y acelerar el procesamiento de datos masivos:
- Arquitectura zHBM: Apila la memoria HBM verticalmente sobre los aceleradores de IA en lugar del diseño adyacente tradicional. Utiliza tecnología de unión de obleas (wafer bonding) e integra propiedad intelectual (IP) personalizada en la capa intermedia.
- Rendimiento: Hasta 8 veces superior a HBM5.
- Densidad y Eficiencia: Más de 10 veces la densidad de HBM5, el triple de eficiencia energética y una reducción superior al 50 % en la resistencia térmica.
- Arquitectura zNAND-O: Solución NAND en desarrollo de 4 y 8 capas orientada a Edge AI, diseñada para ofrecer baja latencia y alta tasa de entrada/salida (I/O).
Especificaciones de la memoria V10 BV-NAND
Samsung presentó la décima generación de su arquitectura Bonding V-NAND, estableciendo un nuevo hito de densidad de almacenamiento desde el lanzamiento de la primera V-NAND en 2013:
| Parámetro Técnico | Especificación V10 BV-NAND |
| Estructura Vertical | Más de 400 capas apiladas mediante wafer bonding. |
| Densidad de Memoria | Incremento aproximado del 58 % respecto a la generación V9. |
| Aplicación Operativa | Servidores de IA empresariales con mejoras en velocidad de lectura, escritura e I/O. |
Hoja de ruta de productos e integración IDM
La compañía expuso su catálogo de semiconductores orientados a centros de datos y computación distribuida:
- HBM4 / HBM4E / HBM5: Muestras de HBM4E (tras la producción en masa de HBM4 iniciada en febrero con proceso DRAM 1c y base die de 4 nm) y modelos de HBM5.
- LPDDR5X-PIM: Memoria LPDDR con tecnología Processing-in-Memory para ejecutar procesamiento de datos dentro del propio chip.
- Almacenamiento Empresarial: Unidades de estado sólido PM1763 y BM1773 para centros de datos de IA.
- Estrategia Turnkey (IDM): Samsung resaltó su posición como fabricante integrado que combina divisiones de memoria, fundición (foundry) y empaquetado avanzado (advanced packaging) para acortar tiempos de desarrollo de semiconductores personalizados.
