Durante la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) 2026, Samsung Electronics presentó sus avances en memorias avanzadas y arquitecturas 3D diseñadas para optimizar la eficiencia energética y la capacidad de procesamiento de la infraestructura de inteligencia artificial y la computación de alto rendimiento (HPC).
Innovaciones en arquitectura 3D y nuevas nomenclaturas
Los ejecutivos del Memory Business de la compañía introdujeron dos modelos conceptuales de memoria tridimensional:
| Concepto / Tecnología | Arquitectura Técnica | Beneficio Operativo Estimado |
| zHBM | Apilamiento vertical directo sobre el acelerador de IA (eliminando la colocación lateral tradicional). | Rendimiento 8 veces superior a HBM5, densidad de memoria >10x, triple de eficiencia energética y reducción térmica a la mitad. Permite la integración de IP personalizada en la capa intermedia. |
| zNAND-O | Solución NAND de 4 y 8 capas diseñada para entonos de Edge AI. | Alta eficiencia de espacio y baja latencia para procesamiento intensivo en tiempo real. |
Revelación de la tecnología V10 BV-NAND
Samsung presentó la V10 BV-NAND (Bonding V-NAND), una arquitectura que implementa la unión directa de obleas (wafer bonding) para estructurar celdas de memoria:
- Densidad y Capas: Supera las 400 capas, incrementando la densidad de almacenamiento en aproximadamente un 58% frente a la generación previa (V9).
- Rendimiento: Optimiza las velocidades de lectura, escritura y las tasas de entrada/salida (E/S) para servidores de centros de datos.
Portafolio de productos y estrategia de fabricación IDM
La empresa exhibió su hoja de ruta de productos, entre los que figuran:
- Línea HBM: Distribución de muestras de HBM4E a clientes globales (tras la producción en masa de HBM4 con proceso DRAM 1c nm y base die de 4 nm en febrero de 2026) y el diseño conceptual de HBM5.
- LPDDR5X-PIM: Primera memoria LPDDR de la industria con tecnología de procesamiento en memoria (Processing-In-Memory) para reducir el tráfico de datos hacia el procesador central.
- Almacenamiento Empresarial: Unidades SSD PM1763 y BM1773 orientadas a centros de datos.
- Modelo Llave en Mano (Turnkey): Integración de sus divisiones de memoria, fundición (foundry) y empaquetado avanzado para reducir los ciclos de desarrollo de semiconductores dedicados a la IA.
