Samsung Electronics y Broadcom anunciaron un memorando de entendimiento (MOU) durante el AI Summit en San Francisco para expandir su colaboración en infraestructura de inteligencia artificial. El acuerdo contempla proyectos conjuntos en tecnologías de memoria, fabricación de semiconductores (foundry) y empaquetado avanzado, con una proyección comercial estimada en más de 200.000 millones de dólares durante los próximos cinco años.
El anuncio contó con la presencia de Jinman Han, presidente de la división de Foundry de Samsung, y Hock Tan, presidente y CEO de Broadcom, junto a ejecutivos del sector y representantes del gobierno surcoreano.
Young Hyun Jun (Samsung Electronics): El vicepresidente y CEO de la división Device Solutions destacó que la integración vertical de Samsung —que abarca lógica, memoria y empaquetado— permite responder a la demanda de infraestructura clave para la IA del futuro.
Charlie Kawwas (Broadcom): El presidente del Grupo de Soluciones de Semiconductores de Broadcom enfatizó que la unión entre la capacidad de fabricación de Samsung y la experiencia en conectividad de Broadcom fortalecerá el ecosistema global de semiconductores.
Con este acuerdo quinquenal, Samsung afianza su estrategia de fabricante integrado (IDM) en el mercado de la inteligencia artificial, acelerando la competencia frente a rivales de fundición en la carrera por los nodos sub-2 nanómetros. Por su parte, Broadcom asegura la capacidad de suministro de componentes críticos de memoria y procesamiento, consolidando la infraestructura necesaria para sostener la creciente demanda global de redes y centros de datos de alta velocidad.
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